在半導體晶片拋光過程中，拋光時間短，要求拋光速率快，表面質(zhì)量好，雜質(zhì)殘留少，避免影響功率器件性能與成品率。硅溶膠顆粒大小分布均勻，提供磨削作用的有效顆粒多，拋光速率快；硬度適中，分散性、流動性好，不易沉淀和結(jié)塊造成晶片劃傷；同時硅溶膠純度高、低殘留、易清洗，降低了晶片表面沾污的影響。